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STGD8NC60KDT4
STGD8NC60KDT4
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD8NC60KDT4
- 商品编号
- C157392
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 380pF | |
| 输出电容(Coes) | 46pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 8.5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 72ns | |
| 导通损耗(Eon) | 55uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 85uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 23.5ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了良好的平衡。
商品特性
- 更低的导通压降（V_CE(sat)）
- 更低的C_RES/C_IES比率（无交叉导通敏感性）
- 极软超快恢复反并联二极管
- 短路耐受时间10μs
应用领域
- 高频电机控制
- 硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）
- 电机驱动器