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FDC606P
1个P沟道 耐压:12V 电流:6A
- 描述
- 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC606P
- 商品编号
- C154517
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.699nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 423pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 679pF |
商品概述
这款 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 采用了仙童（Fairchild）的低压 PowerTrench 工艺。它针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 6 A,-12 V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 26 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 35 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V 时,RDS(ON) = 53 mΩ
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护