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FDC606P
1个P沟道 耐压:12V 电流:6A
- 描述
- 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC606P
- 商品编号
- C154517
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.699nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 423pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 679pF |
交货周期
订货75-77个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 6000 个)个
起订量：6000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单