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FDC2512
1个N沟道 耐压:150V 电流:1.4A
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- 描述
- N沟道,150V,1.4A,425mΩ@4.5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC2512
- 商品编号
- C154516
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 475mΩ@6V,1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 344pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 180mΩ
- 当-60V、-2.4A，栅源电压VGS = -10V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 135mΩ
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 坚固可靠
- 符合无铅产品要求
- SOT - 89封装