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FDG6332C
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:0.7A
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- 描述
- 这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6332C
- 商品编号
- C154512
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 114pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- Q1:0.7 A,20 V。RDS(ON) = 300 m Ω(VGS = 4.5 V时)
- RDS(ON) = 400 m Ω(VGS = 2.5 V时)
- Q2: - 0.6 A, - 20 V。RDS(ON) = 420 m Ω(VGS = - 4.5 V时)
- RDS(ON) = 630 m Ω(VGS = - 2.5 V时)
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的\mathsfRDS(ON)
- SC70 - 6封装:占位面积小(比SSOT - 6小51%);外形低矮(厚度1 mm)
- 互补性
应用领域
-DC/DC转换器-负载开关-LCD显示器逆变器