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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDBL86361-F085

1个N沟道 耐压:80V 电流:300A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:典型RDS(on) = 1.1 mΩ,VGS = 10V,ID = 80 A。 典型Qg(tot) = 172 nC,VGS = 10V,ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDBL86361-F085
商品编号
C900881
商品封装
HPSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V,80A
耗散功率(Pd)429W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)188nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
  • 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

应用领域

  • 电动工具、电池供电吸尘器
  • 无人机、物料搬运设备
  • 电池管理系统(BMS)/储能、家庭自动化

数据手册PDF