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FDBL86566-F085
N沟道 60V 240A
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- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，240A，2.4mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL86566-F085
- 商品编号
- C900884
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.655nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.745nF |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400 mA直流电流的应用，并且能够提供高达2 A的脉冲电流。这些产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 1.9 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 80 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 12V 系统主开关