FCH170N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:22A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SuperFET II MOSFET 适用于各种 AC/DC 电源转换，实现系统小型化和更高能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH170N60
- 商品编号
- C898127
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项先进技术专用于最小化传导损耗,提供卓越的开关性能,并能够承受极端dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET适用于系统小型化和高效化的各种各样的AC-DC功率转换的应用中。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型值 RDS(on) = 150 mΩ
- 超低栅极电荷 (典型值 Qg = 42 nC )
- 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 190 pF )
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 通信/服务器电源
- 工业电源
- AC-DC电源