- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 132ns | |
| 导通损耗(Eon) | 400uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 280uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
FPF2G120BF07ASP采用3通道升压拓扑，为多串太阳能应用提供了优化解决方案。集成的高速场截止IGBT和碳化硅二极管可降低导通和开关损耗。预涂覆的相变材料（PCM）无需额外的热界面材料印刷工艺。此外，螺丝夹提供了一种快速可靠的安装方法。
商品特性
- 高效率
- 低导通和开关损耗
- 高速场截止IGBT
- 用于升压二极管的碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）
- 内置用于温度监测的负温度系数热敏电阻（NTC）
- 紧凑尺寸：F2封装
- 焊接引脚
- 具有低热阻的氧化铝（Al₂O₃）基板
- 预涂覆的相变材料（PCM）
应用领域
- 太阳能逆变器