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FDMS7620S-F106实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMS7620S-F106

2个N沟道 耐压:30V 电流:12.4A 电流:10.1A

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描述
此器件在一个独特的双 Power 56 封装内包括了两个专用 MOSFET。它提供了能效和 PCB 利用率方面优化的同步降压功率级。该低开关损耗“高压侧”MOSFET 由低导通损耗“低压侧”SyncFET 提供互补。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMS7620S-F106
商品编号
C891067
商品封装
Power-56-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12.4A;10.1A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V,10.1A
属性参数值
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)608pF@15V
配置-

商品概述

SPS系列是面向大电流、高频、同步降压式DC-DC应用的下一代、完全优化、超紧凑、集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案。FDMF3033将带有自举肖特基二极管的驱动器IC和两个功率MOSFET集成到热增强型、超紧凑的5 mm × 5 mm封装中。 通过采用集成式方法,SPS开关功率级针对驱动器和MOSFET动态性能、最小化系统电感和功率MOSFET的RDS(ON)进行了优化。SPS系列采用高性能PowerTrench MOSFET技术,可减少开关振铃,在大多数降压转换器应用中无需使用缓冲电路。 具有更短死区时间和传播延迟的驱动器IC进一步提升了性能。FDMF3033支持二极管仿真(使用FCCM引脚),以提高轻载效率。FDMF3033还提供三态5 V PWM输入,可与各种PWM控制器兼容。

商品特性

  • 支持IMVP - 8的PS4模式
  • 采用倒装芯片低端MOSFET的超紧凑5 mm x 5 mm PQFN铜夹封装
  • 高电流处理能力:60 A
  • 三态5 V PWM输入栅极驱动器
  • 低关断电流:IVCC < 6 μA
  • 二极管仿真,提高轻载效率
  • PowerTrench MOSFET,实现干净的电压波形并减少振铃
  • 低端MOSFET采用SyncFET技术(集成肖特基二极管)
  • 集成自举肖特基二极管
  • 优化/极短的死区时间
  • VCC欠压锁定(UVLO)
  • 针对高达1.5 MHz的开关频率进行优化
  • 工作结温范围:-40°C至+125°C
  • 环保封装且符合RoHS标准

应用领域

  • 笔记本电脑、平板电脑和超极本-服务器和工作站、V-Core和非V-Core DC-DC转换器-台式机和一体机电脑、V-Core和非V-Core DC-DC转换器-大电流DC-DC负载点转换器-小尺寸电压调节模块

数据手册PDF