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JMSH1004BGQ
N沟道功率MOSFET，超低导通电阻、低栅极电荷，无铅镀铅，无卤且符合RoHS标准，适用于汽车应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSH1004BGQ
- 商品编号
- C7527401
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1851克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 138A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.434nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 超低导通电阻,RDS(ON)
- 低栅极电荷,\mathbfQg
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和 \mathsfRg 测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合 RoHS 标准
- 通过 AEC-Q101 汽车应用认证