温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JMSL0403AGQ-13
40V、2.5mΩ N沟道功率MOSFET
- 描述
- 特性：超低导通电阻，RDS(ON)。 低栅极电荷，Qg。 100%进行UIS和Rg测试。 无铅引脚电镀。 无卤且符合ROHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL0403AGQ-13
- 商品编号
- C7527435
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 30V、90A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 4 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 6.6 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理
相似推荐
其他推荐