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JMSH0401AGQ
40V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻，RDS(ON)。 低栅极电荷，Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSH0401AGQ
- 商品编号
- C7527437
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2343克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 197A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品概述
先进沟槽技术 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理
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