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JMTL400N04A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：40V，5A。 RDS(ON) < 39mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 52mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL400N04A
- 商品编号
- C7527415
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0422克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 536pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 40V、5A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压（VGS）为 4.5V 时小于 39mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压（VGS）为 2.5V 时小于 52mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理