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JMTK3006B
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- N 沟道增强型功率 MOSFET 旨在保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTK3006B
- 商品编号
- C7527432
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.788nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 100%进行了非钳位感性负载开关测试和栅极电阻测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理-DC/DC和AC/DC子系统中的电流开关-电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动