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JMTK3006B
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- N 沟道增强型功率 MOSFET 旨在保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTK3006B
- 商品编号
- C7527432
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.788nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 30V、70A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 6.0 mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 9.5 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理