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JMTQ040N03A
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTQ040N03A
- 商品编号
- C7527429
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.089nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 302pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 372pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |