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JMTP330N06D-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMTP330N06D-13

双N沟道增强型功率MOSFET

描述
特性:60V, 5A。 RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 47mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用:负载开关。 PWM应用
品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMTP330N06D-13
商品编号
C7527430
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.157525克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))38mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)1.74W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)853pF@25V
反向传输电容(Crss)29pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 100%进行了非钳位感性负载开关测试和栅极电阻测试
  • 无铅引脚镀层
  • 无卤且符合RoHS标准

应用领域

  • 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
  • DC/DC和AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
  • 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动

数据手册PDF