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JMTP330N06D-13
双N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 特性：60V, 5A。 RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 47mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP330N06D-13
- 商品编号
- C7527430
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 853pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JMT双N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 60V、5A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 38mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 47mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理