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JMTP4407A
JMT P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 特性：-30V。 RDS(ON) < 10mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP4407A
- 商品编号
- C7527416
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.252nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF@15V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 306pF |