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JMSL1018AP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMSL1018AP

100V N沟道功率MOSFET

描述
特性:超低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试,100%进行Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RefSI标准。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换
品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMSL1018AP
商品编号
C7527411
商品封装
SOP-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.22784克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8.1A
导通电阻(RDS(on))15.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.9V
栅极电荷量(Qg)12.7nC@10V
输入电容(Ciss)769pF
反向传输电容(Crss)5.1pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 超低RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试和栅极电阻测试
  • 无铅引脚镀层
  • 无卤且符合 RoHS 标准

应用领域

-电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理-DC/DC 和 AC/DC 子系统中的电流切换-电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动

数据手册PDF