温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 30V、90A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 4 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 6.6 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理