温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 超低导通电阻，RDS(ON)
- 低栅极电荷，Qg
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合RoHS标准
- 通过AEC-Q101汽车应用认证