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JMSH1006AG-13
100V、5.3mΩ N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试和100%进行Rg测试。 无铅引脚电镀。 无卤且符合RoHS标准。应用：电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSH1006AG-13
- 商品编号
- C7527402
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 102A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.369nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |