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JMSL0603BGQ-13
60V、2.4mΩ N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻，RDS(ON)。 低栅极电荷，Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀层。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL0603BGQ-13
- 商品编号
- C7527408
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18722克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 147A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟道型场效应管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器（PA）开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器