温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试和 100% Rg 测试
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准且无卤素
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- DC/DC 和 AC/DC 子系统中的电流切换
- 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动