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JMSL0402AGQ-13
40V、1.6mΩ N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻，RDS(ON)。 低栅极电荷，Qg。 100%进行UIS和Rg测试。 无铅引脚电镀。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL0402AGQ-13
- 商品编号
- C7527405
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18326克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 183A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.133nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷 Qg
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻 Rg 测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合 RoHS 标准
- 通过 AEC-Q101 汽车应用认证