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JMSL0406AGQ-13
40V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻，RDS(ON)。 低栅极电荷，Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL0406AGQ-13
- 商品编号
- C7527407
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18352克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.204nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 536pF |
商品特性
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 因降低Qrr而实现低开关损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机
- ATX电源
- 工业
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）