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JMSH1004BC实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMSH1004BC

100V、3.5mΩ N沟道功率MOSFET

描述
特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试,100% Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。应用:计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动
品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMSH1004BC
商品编号
C7527400
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.72克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)139A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)156W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.7V@250uA
栅极电荷量(Qg)57nC@10V
输入电容(Ciss)3.433nF
反向传输电容(Crss)13pF
输出电容(Coss)905pF

数据手册PDF