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150N3
150N3
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- 描述
- N沟道 30V 33A 0.0024Ω
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 150N3
- 商品编号
- C8111
- 商品封装
- PowerFLAT-6x5
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
该产品采用意法半导体（ST）专有的第六代STripFET技术设计规则，并配备全新的栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 该数值依据热阻Rthj-pcb进行额定
- 导通电阻RDS(on)与栅极电荷Qg的乘积为行业基准
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- 极低的开关栅极电荷
- PowerFLAT (6x5)封装
应用领域
- 开关应用