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25N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供高达30A的连续电流处理能力。专为高性能开关电源和负载驱动设计，适用于各类消费电子产品，确保高效能、低损耗与卓越的系统稳定性。
- 商品型号
- 25N06
- 商品编号
- C7495274
- 商品封装
- TO252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43968克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
50N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源