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25N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:25A

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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,提供高达30A的连续电流处理能力。专为高性能开关电源和负载驱动设计,适用于各类消费电子产品,确保高效能、低损耗与卓越的系统稳定性。
商品型号
25N06
商品编号
C7495274
商品封装
TO252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.43968克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.378nF
反向传输电容(Crss)64pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)86pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF