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SI2303
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于精确控制电流和电压的应用场景。其参数表现为：最大电流2.3A，耐压20V，内阻典型值120mR，栅源极电压VGS为12V。该元器件具备高效能和稳定的性能，适合对电子系统有精确要求的场合。
- 商品型号
- SI2303
- 商品编号
- C7495285
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |