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SI2307A
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具有4.2A大电流处理能力。具备出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场合，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
- 商品型号
- SI2307A
- 商品编号
- C7495288
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03555克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI2307A采用先进的沟槽技术，提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压 = -30 V，漏极电流 = -4.2 A
- 栅源电压 = -10 V时，漏源导通电阻 < 55 mΩ
- 栅源电压 = -4.5 V时，漏源导通电阻 < 75 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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