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SI2312A
1个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压应用设计，具有高达6A的连续电流承载能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛适用于充电器、电源转换及各种高效能电子设备中，提供稳定可靠的功率管理方案。
- 商品型号
- SI2312A
- 商品编号
- C7495289
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |