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SI2306A
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具备高达5.8A的大电流处理能力。具有优越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换以及各类高功率电子设备中，实现高效可靠的功率管理与切换功能。
- 商品型号
- SI2306A
- 商品编号
- C7495287
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
SI2306A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源