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SI2304A
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压30V，提供高达5.8A的大电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及高功率电子设备中，实现高效能与稳定的功率控制功能。
- 商品型号
- SI2304A
- 商品编号
- C7495286
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDN335N采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2.3A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源