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30N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 本品为消费级N沟道MOSFET，采用高效TO-252-2L封装。具备60V耐压及30A电流承载能力，适用于各类中低压开关电路，能有效提升系统能效，稳定可靠，是您电子产品设计的理想选择。
- 商品型号
- 30N06
- 商品编号
- C7495277
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
30N03A采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源