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FDN338P
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供2.3A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源管理等场景，是电子设备高效能功率控制的理想选择。
- 商品型号
- FDN338P
- 商品编号
- C7495281
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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