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FDN5630
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于60V电压系统，具备3A大电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、稳定的功率控制及转换功能。
- 商品型号
- FDN5630
- 商品编号
- C7495284
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
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