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FDN359BN
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压环境，具备5.8A大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中，实现精准可靠的功率转换与控制功能。
- 商品型号
- FDN359BN
- 商品编号
- C7495283
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |