FDN335N
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描述
此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，可承载高达2.3A的连续电流。专为充电器、电源管理及各类高效电子设备设计，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是实现精准功率控制的理想之选。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDN335N商品编号
C7495280商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.033267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V |
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