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FDN335N
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，可承载高达2.3A的连续电流。专为充电器、电源管理及各类高效电子设备设计，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是实现精准功率控制的理想之选。
- 商品型号
- FDN335N
- 商品编号
- C7495280
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDN304P采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 20V，漏极电流ID = - 5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理