温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN335N
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，可承载高达2.3A的连续电流。专为充电器、电源管理及各类高效电子设备设计，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是实现精准功率控制的理想之选。
- 商品型号
- FDN335N
- 商品编号
- C7495280
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |