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FDN304P
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备5A大电流处理能力。凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景中，实现高效、稳定的功率控制与切换功能。
- 商品型号
- FDN304P
- 商品编号
- C7495279
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040717克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
20N06采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V ID = 20A
- RDS(ON) < 32mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源