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50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用高效TO-252-2L封装，具有60V高耐压和强大50A电流承载能力。专为高性能消费电子设备设计，实现低电阻、高速开关，显著提升系统效能与稳定性，是优化电源管理方案的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- 50N06
- 商品编号
- C7495278
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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