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2N60L
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，额定耐压高达650V，可稳定处理2A电流。专为高效能、低损耗的高压开关应用设计，广泛适用于各类消费电子产品，是优化电源管理方案、提升系统可靠性的理想半导体元件。
- 商品型号
- 2N60L
- 商品编号
- C7495275
- 商品封装
- TO252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.471克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 2 A
- RDS(ON) < 5 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。