SIJH5800E-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:30A 电流:302A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJH5800E-T1-GE3
- 商品编号
- C7011053
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；302A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W；333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 完全无铅(Pb)器件
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 最大连续漏极电流高达302 A
- 占位面积比D2PAK(TO - 263)小50%
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-或门功能-电机驱动控制-电池管理
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