SQD50P03-07_GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD50P03-07_GE3
- 商品编号
- C7012521
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.49nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9014、SiHFR9014)-直引脚(IRFU9014、SiHFU9014)-P沟道-快速开关