温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQM40061EL_GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。 100%进行Rg和UIS测试。 AEC-Q101合格。 材料分类：如需合规定义，请参考相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM40061EL_GE3
- 商品编号
- C7012545
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 具备低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- DC/DC 转换器的低端开关-笔记本电脑-服务器-负载点 (POL)-或门 (Oring)
相似推荐
其他推荐