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SQJ411EP-T1_GE3
SQJ411EP-T1_GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ411EP-T1_GE3
- 商品编号
- C7012531
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6nF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
N沟道150V（漏-源）MOSFET
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%经过单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 初级侧开关-N沟道MOSFET