SIUD401ED-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:500mA
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIUD401ED-T1-GE3
- 商品编号
- C7011157
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.573Ω@10V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用