SIUD401ED-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:500mA
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIUD401ED-T1-GE3
- 商品编号
- C7011157
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.573Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 超小外形尺寸,0.8 mm x 0.6 mm
- 超薄设计,最大高度0.4 mm
- 典型ESD保护能力1300(HBM)
- 额定-2.5 V时的导通电阻RDS(on)
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-负载开关-高速开关-电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理