温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ3410EV-T1_BE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3410EV-T1_BE3
- 商品编号
- C7012511
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.005nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM优化
- 采用新型低热阻PowerPAK封装，封装高度仅1.07 mm
- 100%进行Rg测试
应用领域
- DC/DC转换器-次级同步整流器-同步降压电路中的高端MOSFET