SI7806ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7806ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C7011607
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 材料分类：有关合规性定义，请访问www.vishay.com/doc?99912
- 符合RoHS标准
- 无卤