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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 提供无卤选项
- 第二代沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 采用新型低热阻、1.07 mm超薄封装的PowerPAK封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-同步整流