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SI7738DP-T1-E3实物图
  • SI7738DP-T1-E3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7738DP-T1-E3
商品编号
C7011605
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))38mΩ@10V,7.7A
耗散功率(Pd)62W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.1nF@75V
反向传输电容(Crss)45pF@75V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和极低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。通孔版本(SiHF640L)适用于薄型应用。

商品特性

  • 表面贴装
  • 薄型通孔
  • 提供卷带包装
  • 动态dV/dt额定值
  • 150 °C工作温度
  • 快速开关
  • 全雪崩额定

数据手册PDF