SIR5708DP-T1-RE3
SIR5708DP-T1-RE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR5708DP-T1-RE3
- 商品编号
- C7011120
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 975pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的漏源导通电阻 (RDS) 与栅极电荷 (Q_g) 优值 (FOM) 乘积
- 针对最低的漏源导通电阻 (RDS) 与输出电容电荷 (Q_oss) 优值进行优化
- 100% 进行栅极电阻 (R_g) 和非钳位电感开关 (UIS) 测试
应用领域
-同步整流-直流-直流转换器初级侧开关-电源-电机驱动控制
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